HER508G Yangjie Electronic Technology
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1323+ | 9.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HER508G Yangjie Electronic Technology
Description: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO201AD, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 52pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 5A, Supplier Device Package: DO-201AD (DO-27), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції HER508G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
HER508G | Виробник : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 52pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: DO-201AD (DO-27) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
HER508G | Виробник : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 52pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: DO-201AD (DO-27) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
HER508G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |