HER602G Yangjie Electronic Technology
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 818+ | 17.33 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
818 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HER602G Yangjie Electronic Technology
Description: DIODE GEN PURP 100V 6A R-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: R-6, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: R-6, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V.
Інші пропозиції HER602G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
HER602G | Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: DIODE GEN PURP 100V 6A R-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: R-6 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
HER602G | Taiwan Semiconductor |
Rectifiers 6.0 Amp 100 Volt 150 Amp IFSM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| HER602G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 6A R-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Description: DIODE GEN PURP 100V 6A R-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| HER602G |
|
Виробник: Taiwan Semiconductor
Rectifiers 6.0 Amp 100 Volt 150 Amp IFSM
Rectifiers 6.0 Amp 100 Volt 150 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.