HERA808GH Taiwan Semiconductor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 81.45 грн |
| 10+ | 65.74 грн |
| 100+ | 44.44 грн |
| 500+ | 37.67 грн |
| 1000+ | 30.68 грн |
| 2500+ | 28.84 грн |
| 5000+ | 27.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HERA808GH Taiwan Semiconductor
Description: 80NS, 8A, 1000V, HIGH EFFICIENT, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 80 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції HERA808GH за ціною від 30.09 грн до 75.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HERA808GH | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: 80NS, 8A, 1000V, HIGH EFFICIENTPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| HERA808GH | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
HERA808GH-TSC THT universal diodes |
товару немає в наявності |