HERAF1008G Taiwan Semiconductor Corporation


HERAF1001G SERIES_I2105.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A ITO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+75.16 грн
50+58.01 грн
100+45.97 грн
500+36.56 грн
1000+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HERAF1008G Taiwan Semiconductor Corporation

Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A ITO220AC, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: ITO-220AC, Current - Average Rectified (Io): 10A, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 80 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Packaging: Tube.

Інші пропозиції HERAF1008G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HERAF1008G HERAF1008G Taiwan Semiconductor HERAF1001G_SERIES_I2105-3005274.pdf Rectifiers 80ns, 10A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HERAF1008G HERAF1001G_SERIES_I2105-3005274.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor
Rectifiers 80ns, 10A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.