HERAF1008GH Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: 80NS, 10A, 1000V, HIGH EFFICIENT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.42 грн |
| 50+ | 58.21 грн |
| 100+ | 46.13 грн |
| 500+ | 36.69 грн |
| 1000+ | 29.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HERAF1008GH Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 80NS, 10A, 1000V, HIGH EFFICIENT, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 80 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: ITO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції HERAF1008GH
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| HERAF1008GH | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
HERAF1008GH-TSC THT universal diodes |
товару немає в наявності |
||
 |
HERAF1008GH | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Rectifiers 80ns, 10A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier |
товару немає в наявності |