Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > HERAF808G
HERAF808G

HERAF808G Taiwan Semiconductor Corporation

Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.16 грн
50+ 52.23 грн
100+ 41.38 грн
500+ 32.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HERAF808G Taiwan Semiconductor Corporation

Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 80 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: ITO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.

Інші пропозиції HERAF808G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
HERAF808G HERAF808G Виробник : Taiwan Semiconductor Rectifiers 80ns, 8A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier
товар відсутній