HERAF808G

HERAF808G Taiwan Semiconductor Corporation


HERAF801G SERIES_K2105.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.29 грн
50+48.13 грн
100+43.41 грн
500+32.81 грн
1000+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HERAF808G Taiwan Semiconductor Corporation

Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 80 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: ITO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.

Інші пропозиції HERAF808G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HERAF808G HERAF808G Виробник : Taiwan Semiconductor HERAF801G SERIES_K2105.pdf Rectifiers 80ns, 8A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.