HERF1007GAH Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 800V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 115.39 грн |
| 50+ | 52.73 грн |
| 100+ | 46.99 грн |
| 500+ | 34.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HERF1007GAH Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 800V 10A ITO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 80 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: ITO-220AB, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції HERF1007GAH
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| HERF1007GAH | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
HERF1007GAH-TSC THT universal diodes |
товару немає в наявності |
||
 |
HERF1007GAH | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Rectifiers 80ns, 10A, 800V, High Efficient Recovery Rectifier |
товару немає в наявності |