HERF1008GAH Taiwan Semiconductor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.52 грн |
| 10+ | 46.27 грн |
| 100+ | 39.63 грн |
| 500+ | 34.12 грн |
| 1000+ | 29.67 грн |
| 2500+ | 24.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HERF1008GAH Taiwan Semiconductor
Description: DIODE STD 1000V 10A ITO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 80 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: ITO-220AB, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції HERF1008GAH
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
HERF1008GAH | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: DIODE STD 1000V 10A ITO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: ITO-220AB Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |