HFA3096BZ Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: RF TRANS 12/15V 5.5GHZ 16-SOIC
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Supplier Device Package: 16-SOIC
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
Frequency - Transition: 8GHz, 5.5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Power - Max: 150mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 3 NPN + 2 PNP
Mounting Type: Surface Mount
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 924.46 грн |
| 10+ | 620.40 грн |
| 480+ | 438.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HFA3096BZ Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - HFA3096BZ - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 8 V, 8 V, 37 mA, 37 mA, 150 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 130hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 8GHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung, PNP: 150mW, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 37mA, Übergangsfrequenz, PNP: 5.5GHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 8V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 130hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 8V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 37mA, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції HFA3096BZ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
HFA3096BZ | RENESAS |
Description: RENESAS - HFA3096BZ - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 8 V, 8 V, 37 mA, 37 mA, 150 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 130hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 8GHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: 150mW MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 37mA Übergangsfrequenz, PNP: 5.5GHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 8V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 130hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 125°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 8V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 37mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
HFA3096BZ | Renesas / Intersil |
RF Bipolar Transistors W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2XPNP16NSOIC MIL |
на замовлення 981 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| HFA3096BZ | Intersil |
Pb-Free w/Anneal TXARRAY 3X NPN 2X PNP 16NSOIC MIL HFA3 ITSHFA3096B кількість в упаковці: 48 шт |
на замовлення 892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| HFA3096BZ |
|
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - HFA3096BZ - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 8 V, 8 V, 37 mA, 37 mA, 150 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 130hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 8GHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 37mA
Übergangsfrequenz, PNP: 5.5GHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 8V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 130hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 8V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 37mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: RENESAS - HFA3096BZ - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 8 V, 8 V, 37 mA, 37 mA, 150 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 130hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 8GHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 37mA
Übergangsfrequenz, PNP: 5.5GHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 8V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 130hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 8V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 37mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| HFA3096BZ |
|
Виробник: Renesas / Intersil
RF Bipolar Transistors W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2XPNP16NSOIC MIL
RF Bipolar Transistors W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2XPNP16NSOIC MIL
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)