HFA3127BZ Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16-SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 5 NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 947.15 грн |
| 45+ | 530.22 грн |
| 135+ | 472.49 грн |
| 540+ | 438.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HFA3127BZ Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - HFA3127BZ - Bipolares Transistor-Array, Fünffach NPN, 8 V, 37 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 130hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 8GHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 8V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Fünffach NPN, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 37mA, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції HFA3127BZ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
HFA3127BZ | Renesas / Intersil |
RF Bipolar Transistors W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16N MIL |
на замовлення 1299 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
HFA3127BZ | RENESAS |
Description: RENESAS - HFA3127BZ - Bipolares Transistor-Array, Fünffach NPN, 8 V, 37 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 130hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 8GHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 8V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Fünffach NPN Betriebstemperatur, max.: 125°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 37mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| HFA3127BZ | Intersil |
Pb-FREE, W/ANNEAL, TXARRAY 5X NPN 16NSOIC MIL HFA3 ITSHFA3127B кількість в упаковці: 48 шт |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| HFA3127BZ |
|
Виробник: Renesas / Intersil
RF Bipolar Transistors W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16N MIL
RF Bipolar Transistors W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16N MIL
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| HFA3127BZ |
|
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - HFA3127BZ - Bipolares Transistor-Array, Fünffach NPN, 8 V, 37 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 130hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 8GHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 8V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Fünffach NPN
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 37mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: RENESAS - HFA3127BZ - Bipolares Transistor-Array, Fünffach NPN, 8 V, 37 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 130hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 8GHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 8V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Fünffach NPN
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 37mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)