HFGM300D12V3 HUAJING
Виробник: HUAJINGCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: V3 62MM
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 600A
Technology: PT
Mechanical mounting: screw
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6849.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HFGM300D12V3 HUAJING
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A, Type of semiconductor module: IGBT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Topology: IGBT half-bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 300A, Case: V3 62MM, Application: for UPS; Inverter, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 600A, Technology: PT, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції HFGM300D12V3 за ціною від 8219.78 грн до 8219.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HFGM300D12V3 | Виробник : HUAJING |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 300A Case: V3 62MM Application: for UPS; Inverter Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 600A Technology: PT Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|