HGT1S10N120BNS

HGT1S10N120BNS


hgtp10n120bn-d.pdf
Код товару: 104642
Виробник:
Транзистори > IGBT

товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції HGT1S10N120BNS

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
HGT1S10N120BNS HGT1S10N120BNS Виробник : ON Semiconductor hgtp10n120bn-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
HGT1S10N120BNS HGT1S10N120BNS Виробник : onsemi hgtp10n120bn-d.pdf Description: IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W
товар відсутній
HGT1S10N120BNS HGT1S10N120BNS Виробник : onsemi / Fairchild HGTP10N120BN_D-1810363.pdf IGBT Transistors 35A 1200V NPT N-Ch
товар відсутній