HGT1S10N120BNST ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - HGT1S10N120BNST - IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.45V
Verlustleistung Pd: 298W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 35A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 286.37 грн |
| 500+ | 222.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HGT1S10N120BNST ONSEMI
Description: ONSEMI - HGT1S10N120BNST - IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.45V, Verlustleistung Pd: 298W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 298W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 35A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 35A, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції HGT1S10N120BNST за ціною від 206.55 грн до 562.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HGT1S10N120BNST | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGT1S10N120BNST - IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 35A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
HGT1S10N120BNST | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBTs N-Channel IGBT NPT Series 1200V |
на замовлення 48110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| HGT1S10N120BNST | Виробник : Aptina Imaging |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 12800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
HGT1S10N120BNST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
HGT1S10N120BNST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
HGT1S10N120BNST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
HGT1S10N120BNST | Виробник : onsemi |
Description: IGBT NPT 1200V 35A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off) Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 298 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
HGT1S10N120BNST | Виробник : onsemi |
Description: IGBT NPT 1200V 35A TO-263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off) Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 298 W |
товару немає в наявності |