Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції HGT1S10N120BNST за ціною від 139.66 грн до 364.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HGT1S10N120BNST | Виробник : onsemi |
 Description: IGBT NPT 1200V 35A TO-263Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off) Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 298 W |
на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
HGT1S10N120BNST | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBTs N-Channel IGBT NPT Series 1200V |
на замовлення 19460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|