Продукція > Транзистори > IGBT > HGT1S10N120BNST

HGT1S10N120BNST

hgtp10n120bn-d.pdf
Код товару: 213265
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції HGT1S10N120BNST за ціною від 156.67 грн до 342.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HGT1S10N120BNST HGT1S10N120BNST onsemi hgtp10n120bn-d.pdf Description: IGBT NPT 1200V 35A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+342.51 грн
10+219.38 грн
100+156.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S10N120BNST HGT1S10N120BNST onsemi / Fairchild HGTP10N120BN-D.pdf IGBTs N-Channel IGBT NPT Series 1200V
на замовлення 19460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S10N120BNST HGT1S10N120BNST ONSEMI ONSM-S-A0003590769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HGT1S10N120BNST - IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Dauerkollektorstrom: 35A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S10N120BNST HGT1S10N120BNST ONSEMI ONSM-S-A0003590769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HGT1S10N120BNST - IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.45V
Verlustleistung Pd: 298W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 35A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S10N120BNST hgtp10n120bn-d.pdf
HGT1S10N120BNST
Виробник: onsemi
Description: IGBT NPT 1200V 35A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+342.51 грн
10+219.38 грн
100+156.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S10N120BNST HGTP10N120BN-D.pdf
HGT1S10N120BNST
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBTs N-Channel IGBT NPT Series 1200V
на замовлення 19460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S10N120BNST ONSM-S-A0003590769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HGT1S10N120BNST
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGT1S10N120BNST - IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Dauerkollektorstrom: 35A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S10N120BNST ONSM-S-A0003590769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HGT1S10N120BNST
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGT1S10N120BNST - IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.45V
Verlustleistung Pd: 298W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 35A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.