
HGT1S7N60C3D Fairchild Semiconductor

Description: IGBT 600V 14A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 3882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
251+ | 88.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HGT1S7N60C3D Fairchild Semiconductor
Description: IGBT 600V 14A TO-262, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A, Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK), Gate Charge: 38 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 14 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A, Power - Max: 60 W.
Інші пропозиції HGT1S7N60C3D
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
HGT1S7N60C3D | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |