HGTD7N60C3S9A ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 219+ | 166.87 грн |
| 500+ | 149.81 грн |
| 1000+ | 138.85 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
219 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HGTD7N60C3S9A ON Semiconductor
Description: IGBT 600V 14A TO-252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A, Supplier Device Package: TO-252AA, Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off), Gate Charge: 23 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 14 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A, Power - Max: 60 W.
Інші пропозиції HGTD7N60C3S9A за ціною від 58.49 грн до 197.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HGTD7N60C3S9A | ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
HGTD7N60C3S9A | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
HGTD7N60C3S9A | onsemi |
Description: IGBT 600V 14A TO-252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-252AA Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off) Gate Charge: 23 nC Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 60 W |
на замовлення 1472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| HGTD7N60C3S9A |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 219+ | 166.87 грн |
| HGTD7N60C3S9A |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 219+ | 166.87 грн |
| HGTD7N60C3S9A |
|
Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 14A TO-252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252AA
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
Description: IGBT 600V 14A TO-252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252AA
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 197.16 грн |
| 10+ | 122.53 грн |
| 100+ | 84.06 грн |
| 500+ | 63.45 грн |
| 1000+ | 58.49 грн |