HGTG30N60B3 ON Semiconductor
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 76+ | 154.8 грн |
| 79+ | 148.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HGTG30N60B3 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - HGTG30N60B3 - IGBT, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Інші пропозиції HGTG30N60B3 за ціною від 138.95 грн до 210.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HGTG30N60B3 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGTG30N60B3 - IGBT, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 16153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
HGTG30N60B3 | Виробник : Harris Corporation |
Description: 600 V, NPT IGBT Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns Switching Energy: 500µJ (on), 680µJ (off) Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 170 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A Power - Max: 208 W |
на замовлення 16153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| HGTG30N60B3 |
|
на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
| HGTG30N60B3 |
FSC 06+ TO-3P |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
 |
HGTG30N60B3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||
 |
HGTG30N60B3 | Виробник : onsemi |
Description: IGBT 600V 60A 208W TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns Switching Energy: 500µJ (on), 680µJ (off) Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 170 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A Power - Max: 208 W |
товар відсутній |
|||||||||
 |
HGTG30N60B3 | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT UFS Series |
товар відсутній |