HGTG30N60B3 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG30N60B3 - IGBT, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 16153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 231.48 грн |
| 10+ | 178.26 грн |
| 100+ | 157.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HGTG30N60B3 ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG30N60B3 - IGBT, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Інші пропозиції HGTG30N60B3 за ціною від 228.22 грн до 280.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HGTG30N60B3 | Виробник : Harris Corporation |
Description: IGBT 600V 60A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns Switching Energy: 500µJ (on), 680µJ (off) Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 170 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A Power - Max: 208 W |
на замовлення 16153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| HGTG30N60B3 | Виробник : HARRIS |
HGTG30N60B3 |
на замовлення 15421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| HGTG30N60B3 | Виробник : HARRIS |
HGTG30N60B3 |
на замовлення 732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| HGTG30N60B3 |
|
на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
| HGTG30N60B3 |
FSC 06+ TO-3P |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
HGTG30N60B3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
HGTG30N60B3 | Виробник : onsemi |
Description: IGBT 600V 60A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns Switching Energy: 500µJ (on), 680µJ (off) Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 170 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A Power - Max: 208 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
HGTG30N60B3 | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT UFS Series |
товару немає в наявності |