HGTG34N100E2

HGTG34N100E2 Harris Corporation


HRISD027-3-124.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Harris Corporation
Description: 55A, 1000V N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 34A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 240 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
37+542.78 грн
Мінімальне замовлення: 37
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HGTG34N100E2 Harris Corporation

Description: 55A, 1000V N-CHANNEL IGBT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 34A, Supplier Device Package: TO-247, Gate Charge: 240 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 55 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 208 W.