HGTP20N35G3VL Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: IGBT, 20A, 320V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 5V, 20A
Supplier Device Package: TO-220AB
Gate Charge: 28.7 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 380 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 202+ | 115.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HGTP20N35G3VL Fairchild Semiconductor
Description: IGBT, 20A, 320V, N-CHANNEL, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Logic, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 5V, 20A, Supplier Device Package: TO-220AB, Gate Charge: 28.7 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 380 V, Power - Max: 150 W.
Інші пропозиції HGTP20N35G3VL за ціною від 133.75 грн до 133.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HGTP20N35G3VL | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGTP20N35G3VL - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|