на замовлення 1937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 314.65 грн |
| 10+ | 264.21 грн |
| 100+ | 199.11 грн |
| 250+ | 189.13 грн |
| 500+ | 143.18 грн |
| 980+ | 131.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HIP2100EIBZ Renesas / Intersil
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Supply: 9V ~ 14V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 114 V, Supplier Device Package: 8-SOIC-EP, Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: N-Channel MOSFET, Logic Voltage - VIL, VIH: 4V, 7V, Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A, Part Status: Active, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції HIP2100EIBZ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
HIP2100EIBZ Код товару: 178051 |
 Мікросхеми > Інші мікросхеми |
товар відсутній
|
|||
| HIP2100EIBZ | Виробник : Intersil |
EPSOIC 8/A°/100V/2A Peak, Low Cost, High Frequency Half Bridge Driver HIP2100 кількість в упаковці: 98 шт |
товар відсутній |
||
 |
HIP2100EIBZ | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 9V ~ 14V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 114 V Supplier Device Package: 8-SOIC-EP Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 4V, 7V Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |