HIP2100EIBZT Renesas Electronics Corporation


hip2100-datasheet
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 14V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 114 V
Supplier Device Package: 8-SOIC-EP
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 4V, 7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+395.96 грн
10+281.73 грн
25+257.78 грн
100+217.58 грн
250+206.14 грн
500+199.29 грн
1000+194.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HIP2100EIBZT Renesas Electronics Corporation

Description: RENESAS - HIP2100EIBZT - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), NSOIC-EP, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 2A, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side und Low-Side, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC-EP, Eingang: Nicht invertierend, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 2A, Versorgungsspannung, min.: 9V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 14V, Eingabeverzögerung: 20ns, Ausgabeverzögerung: 20ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.

Інші пропозиції HIP2100EIBZT

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HIP2100EIBZT RENESAS RNCC-S-A0015505005-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: RENESAS - HIP2100EIBZT - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), NSOIC-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC-EP
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 9V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 14V
Eingabeverzögerung: 20ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HIP2100EIBZT RNCC-S-A0015505005-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - HIP2100EIBZT - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), NSOIC-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC-EP
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 9V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 14V
Eingabeverzögerung: 20ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.