HIP2100IBZT Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 14V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 114 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 4V, 7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
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Технічний опис HIP2100IBZT Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - HIP2100IBZT - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 9V-14V Versorgungsspannung, 2Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 2A, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 2A, Versorgungsspannung, min.: 9V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 14V, Eingabeverzögerung: 20ns, Ausgabeverzögerung: 20ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції HIP2100IBZT за ціною від 189.89 грн до 386.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
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HIP2100IBZT | Renesas Electronics Corporation |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 9V ~ 14V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 114 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 4V, 7V Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 3940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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HIP2100IBZT | Renesas / Intersil |
Gate Drivers VER 100V H-BRDG DRVR |
на замовлення 2391 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
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HIP2100IBZT | RENESAS |
Description: RENESAS - HIP2100IBZT - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 9V-14V Versorgungsspannung, 2Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2A Versorgungsspannung, min.: 9V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 14V Eingabeverzögerung: 20ns Ausgabeverzögerung: 20ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
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HIP2100IBZT | RENESAS |
Description: RENESAS - HIP2100IBZT - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 9V-14V Versorgungsspannung, 2Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2A Versorgungsspannung, min.: 9V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 14V Eingabeverzögerung: 20ns Ausgabeverzögerung: 20ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HIP2100IBZ-T | intersil | 09+ |
на замовлення 185 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| HIP2100IBZT |
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Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 14V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 114 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 4V, 7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 14V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 114 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 4V, 7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 386.68 грн |
| 10+ | 275.13 грн |
| 25+ | 251.74 грн |
| 100+ | 212.48 грн |
| 250+ | 201.31 грн |
| 500+ | 194.62 грн |
| 1000+ | 189.89 грн |
| HIP2100IBZT |
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Виробник: Renesas / Intersil
Gate Drivers VER 100V H-BRDG DRVR
Gate Drivers VER 100V H-BRDG DRVR
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| HIP2100IBZT |
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Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - HIP2100IBZT - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 9V-14V Versorgungsspannung, 2Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 14V
Eingabeverzögerung: 20ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: RENESAS - HIP2100IBZT - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 9V-14V Versorgungsspannung, 2Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 14V
Eingabeverzögerung: 20ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| HIP2100IBZT |
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Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - HIP2100IBZT - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 9V-14V Versorgungsspannung, 2Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 14V
Eingabeverzögerung: 20ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: RENESAS - HIP2100IBZT - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 9V-14V Versorgungsspannung, 2Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 14V
Eingabeverzögerung: 20ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| HIP2100IBZ-T |
Виробник: intersil
09+
09+
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)