
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 268.51 грн |
10+ | 215.21 грн |
25+ | 163.75 грн |
100+ | 158.47 грн |
250+ | 153.94 грн |
500+ | 150.92 грн |
980+ | 150.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HIP2101EIBZ Renesas / Intersil
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Supply: 9V ~ 14V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 114 V, Supplier Device Package: 8-SOIC-EP, Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: MOSFET (N-Channel), Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V, Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції HIP2101EIBZ
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
HIP2101EIBZ | Виробник : Intersil |
![]() кількість в упаковці: 98 шт |
на замовлення 601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
![]() |
HIP2101EIBZ Код товару: 59572
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||
![]() |
HIP2101EIBZ | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 9V ~ 14V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 114 V Supplier Device Package: 8-SOIC-EP Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |