HIP2101EIBZT Renesas Electronics Corporation


hip2101-datasheet
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 14V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 114 V
Supplier Device Package: 8-SOIC-EP
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+265.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HIP2101EIBZT Renesas Electronics Corporation

Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Supply: 9V ~ 14V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 114 V, Supplier Device Package: 8-SOIC-EP, Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: MOSFET (N-Channel), Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V, Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції HIP2101EIBZT за ціною від 249.32 грн до 495.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HIP2101EIBZT HIP2101EIBZT Renesas Electronics Corporation hip2101-datasheet Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 14V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 114 V
Supplier Device Package: 8-SOIC-EP
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+495.27 грн
10+355.18 грн
25+325.95 грн
100+276.14 грн
250+262.13 грн
500+253.74 грн
1000+249.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HIP2101EIBZT HIP2101EIBZT Renesas / Intersil hip2101-datasheet Gate Drivers 100V H-BRDG DRVR 8LD EP
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HIP2101EIBZT hip2101-datasheet
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 14V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 114 V
Supplier Device Package: 8-SOIC-EP
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+495.27 грн
10+355.18 грн
25+325.95 грн
100+276.14 грн
250+262.13 грн
500+253.74 грн
1000+249.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HIP2101EIBZT hip2101-datasheet
Виробник: Renesas / Intersil
Gate Drivers 100V H-BRDG DRVR 8LD EP
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.