Технічний опис HIP2101IB INTERSIL
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Supply: 9V ~ 14V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 114 V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: N-Channel MOSFET, Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V, Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції HIP2101IB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| HIP2101IB | Виробник : INTERSIL |
 01+ SOP-8; |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| HIP2101IB | Виробник : INTERSIL |
07+ SOP8 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| HIP2101IB | Виробник : INTERSIL |
SOP8 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
HIP2101IB | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 9V ~ 14V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 114 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|
 |
HIP2101IB | Виробник : Renesas / Intersil |
Gate Drivers 100V H-BRDG DRVR |
товару немає в наявності |