
HIP2101IBZ RENESAS

Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; SO8; -2÷2A; Ch: 2; 9÷14VDC; 100V
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 9...14V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Voltage class: 100V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 269.19 грн |
5+ | 225.60 грн |
10+ | 205.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HIP2101IBZ RENESAS
Description: RENESAS - HIP2101IBZ - MOSFET-Treiber, zweifach, Halbbrücke, 9V-14V Versorgungsspannung, 2Aout Spitze, 3R Ausgang, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 2A, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: -, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 2A, Versorgungsspannung, min.: 9V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 14V, Eingabeverzögerung: 25ns, Ausgabeverzögerung: 25ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції HIP2101IBZ за ціною від 132.14 грн до 430.50 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
HIP2101IBZ | Виробник : RENESAS |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; SO8; -2÷2A; Ch: 2; 9÷14VDC; 100V Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver Case: SO8 Output current: -2...2A Number of channels: 2 Supply voltage: 9...14V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Kind of output: non-inverting Voltage class: 100V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
HIP2101IBZ | Виробник : RENESAS |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2A Versorgungsspannung, min.: 9V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 14V Eingabeverzögerung: 25ns Ausgabeverzögerung: 25ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
HIP2101IBZ | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 9V ~ 14V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 114 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
HIP2101IBZ | Виробник : Renesas / Intersil |
![]() |
на замовлення 881 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
HIP2101IBZ | Виробник : Intersil |
![]() кількість в упаковці: 98 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |