HIP2101IBZ Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 14V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 114 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 14V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 114 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
980+ | 153.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HIP2101IBZ Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - HIP2101IBZ - MOSFET-Treiber, zweifach, Halbbrücke, 9V-14V Versorgungsspannung, 2Aout Spitze, 3R Ausgang, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 2A, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: -, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 2A, Versorgungsspannung, min.: 9V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 14V, Eingabeverzögerung: 25ns, Ausgabeverzögerung: 25ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції HIP2101IBZ за ціною від 135.18 грн до 342.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HIP2101IBZ | Виробник : RENESAS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; SO8; -2÷2A; Ch: 2; 9÷14VDC; 100V Operating temperature: -40...125°C Mounting: SMD Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver Topology: MOSFET half-bridge Voltage class: 100V Case: SO8 Supply voltage: 9...14V DC Output current: -2...2A Type of integrated circuit: driver Number of channels: 2 Kind of output: non-inverting Kind of package: tube |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
HIP2101IBZ | Виробник : Renesas / Intersil | Gate Drivers HIP2101IBZVERSION 100V HALF BRDG DRVR |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
HIP2101IBZ | Виробник : RENESAS |
Description: RENESAS - HIP2101IBZ - MOSFET-Treiber, zweifach, Halbbrücke, 9V-14V Versorgungsspannung, 2Aout Spitze, 3R Ausgang, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2A Versorgungsspannung, min.: 9V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 14V Eingabeverzögerung: 25ns Ausgabeverzögerung: 25ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
HIP2101IBZ | Виробник : RENESAS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; SO8; -2÷2A; Ch: 2; 9÷14VDC; 100V Operating temperature: -40...125°C Mounting: SMD Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver Topology: MOSFET half-bridge Voltage class: 100V Case: SO8 Supply voltage: 9...14V DC Output current: -2...2A Type of integrated circuit: driver Number of channels: 2 Kind of output: non-inverting Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
HIP2101IBZ | Виробник : Intersil |
HIP2101IBZ LEAD-FREE VERSION, 100V HALF BRIDGE DRIVER HIP2 кількість в упаковці: 98 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |