HIP2101IBZ RENESAS
Виробник: RENESASDescription: RENESAS - HIP2101IBZ - MOSFET-Treiber, zweifach, Halbbrücke, 9V-14V Versorgungsspannung, 2Aout Spitze, 3R Ausgang, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 14V
Eingabeverzögerung: 25ns
Ausgabeverzögerung: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 309.72 грн |
| 10+ | 234.49 грн |
| 25+ | 216.09 грн |
| 50+ | 190.99 грн |
| 100+ | 166.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HIP2101IBZ RENESAS
Description: RENESAS - HIP2101IBZ - MOSFET-Treiber, zweifach, Halbbrücke, 9V-14V Versorgungsspannung, 2Aout Spitze, 3R Ausgang, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 2A, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: -, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 2A, Versorgungsspannung, min.: 9V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 14V, Eingabeverzögerung: 25ns, Ausgabeverzögerung: 25ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції HIP2101IBZ за ціною від 178.20 грн до 440.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HIP2101IBZ | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 9V ~ 14V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 114 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
HIP2101IBZ | Виробник : Renesas / Intersil |
Gate Drivers HIP2101IBZVERSION 100V HALF BRDG DRVR |
на замовлення 244 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
HIP2101IBZ | Виробник : Renesas |
Driver 2A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 1847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| HIP2101IBZ | Виробник : Intersil |
HIP2101IBZ LEAD-FREE VERSION, 100V HALF BRIDGE DRIVER HIP2 кількість в упаковці: 98 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |