HIP2211FBZ-T Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 6V ~ 18V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 115 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.47V, 1.84V
Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 4A
DigiKey Programmable: Not Verified
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 137.95 грн |
| 10+ | 93.44 грн |
| 25+ | 84.14 грн |
| 100+ | 69.53 грн |
| 250+ | 65.12 грн |
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Технічний опис HIP2211FBZ-T Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - HIP2211FBZ-T - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Nicht isoliert, Halbbrücke, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 4A, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side und Low-Side, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC, Eingang: Nicht invertierend, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 3A, Versorgungsspannung, min.: 6V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Gate-Treiber: Nicht isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 18V, Eingabeverzögerung: 15ns, Ausgabeverzögerung: 15ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Інші пропозиції HIP2211FBZ-T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
HIP2211FBZ-T | Renesas / Intersil |
Gate Drivers 100V/4A HI/LI Half Bridge Driver, 8ld SOIC T&R |
на замовлення 1865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| HIP2211FBZ-T | RENESAS |
Description: RENESAS - HIP2211FBZ-T - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Nicht isoliert, Halbbrücke, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s) tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4A Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side und Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: Nicht invertierend Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 3A Versorgungsspannung, min.: 6V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 15ns Ausgabeverzögerung: 15ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| HIP2211FBZ-T |
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Виробник: Renesas / Intersil
Gate Drivers 100V/4A HI/LI Half Bridge Driver, 8ld SOIC T&R
Gate Drivers 100V/4A HI/LI Half Bridge Driver, 8ld SOIC T&R
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| HIP2211FBZ-T |
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Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - HIP2211FBZ-T - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Nicht isoliert, Halbbrücke, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 3A
Versorgungsspannung, min.: 6V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 15ns
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: RENESAS - HIP2211FBZ-T - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Nicht isoliert, Halbbrücke, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 3A
Versorgungsspannung, min.: 6V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 15ns
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)