HIP6601BECB Intersil
Виробник: IntersilDescription: HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10.8V ~ 13.2V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 15 V
Supplier Device Package: 8-SOIC-EP
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 314+ | 64.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HIP6601BECB Intersil
Description: HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 0°C ~ 125°C (TJ), Voltage - Supply: 10.8V ~ 13.2V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 15 V, Supplier Device Package: 8-SOIC-EP, Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns, Channel Type: Synchronous, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: N-Channel MOSFET, Part Status: Obsolete, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції HIP6601BECB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| HIP6601BECB | Виробник : INTEL |
SOP |
на замовлення 193 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| HIP6601BECB | Виробник : INTERSIL |
|
на замовлення 10100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| HIP6601BECB | Виробник : INTERSIL |
03+ |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| HIP6601BECB | Виробник : INTERSIL |
09+ |
на замовлення 45 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| HIP6601BECB | Виробник : INTERSIL |
SOP8 |
на замовлення 2215 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
HIP6601BECB | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 0°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 10.8V ~ 13.2V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 15 V Supplier Device Package: 8-SOIC-EP Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|
 |
HIP6601BECB | Виробник : Renesas / Intersil |
Gate Drivers |
товар відсутній |