Технічний опис HIP6602BCB-T INERSIL
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 0°C ~ 125°C (TJ), Voltage - Supply: 10.8V ~ 13.2V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 15 V, Supplier Device Package: 14-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns, Channel Type: Synchronous, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 4, Gate Type: N-Channel MOSFET, Part Status: Obsolete, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції HIP6602BCB-T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| HIP6602BCB-T | Виробник : INTERSIL |
 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| HIP6602BCB-T | Виробник : INTERSIL |
SOP14 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| HIP6602BCB-T | Виробник : INTRESIL |
04+ |
на замовлення 2633 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
HIP6602BCB-T | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 0°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 10.8V ~ 13.2V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 15 V Supplier Device Package: 14-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 4 Gate Type: N-Channel MOSFET Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |