Продукція > HIT > HIP6603BCB

HIP6603BCB HIT

Виробник: HIT

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис HIP6603BCB HIT

Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC, Gate Type: N-Channel MOSFET, Number of Drivers: 2, Driven Configuration: Half-Bridge, Channel Type: Synchronous, Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns, Supplier Device Package: 8-SOIC, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 15 V, Input Type: Non-Inverting, Voltage - Supply: 10.8V ~ 13.2V, Operating Temperature: 0°C ~ 125°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tube, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції HIP6603BCB

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	HIP6603BCB	Renesas Electronics Corporation	Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Gate Type: N-Channel MOSFET Number of Drivers: 2 Driven Configuration: Half-Bridge Channel Type: Synchronous Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns Supplier Device Package: 8-SOIC High Side Voltage - Max (Bootstrap): 15 V Input Type: Non-Inverting Voltage - Supply: 10.8V ~ 13.2V Operating Temperature: 0°C ~ 125°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tube DigiKey Programmable: Not Verified	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

HIP6603BCB

Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Gate Type: N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Synchronous
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns
Supplier Device Package: 8-SOIC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 15 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10.8V ~ 13.2V
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.