HMF12N65S MULTICOMP PRO
Виробник: MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - HMF12N65S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.85 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFETs
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1433.36 грн |
| 5+ | 955.85 грн |
| 10+ | 782.13 грн |
| 50+ | 571.07 грн |
| 100+ | 409.30 грн |
| 250+ | 368.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HMF12N65S MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - HMF12N65S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.85 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 51W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFETs, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції HMF12N65S за ціною від 102.41 грн до 102.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HMF12N65S | Виробник : HY Electronic (Cayman) Limited |
Description: HMF12N65S Packaging: Retail Package Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 51W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|