Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > HN1B01FDW1T1G
HN1B01FDW1T1G

HN1B01FDW1T1G Fairchild Semiconductor

ONSM-S-A0002238948-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Active
на замовлення 48182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7474+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 7474
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HN1B01FDW1T1G Fairchild Semiconductor

Description: ONSEMI - HN1B01FDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 380 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 380mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-74, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 380mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції HN1B01FDW1T1G за ціною від 2.94 грн до 29.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HN1B01FDW1T1G HN1B01FDW1T1G Виробник : ON Semiconductor hn1b01fdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 380mW 6-Pin SC-74 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18000+3.40 грн
24000+3.19 грн
30000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 18000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1G HN1B01FDW1T1G Виробник : ON Semiconductor hn1b01fdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 380mW 6-Pin SC-74 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.43 грн
6000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1G HN1B01FDW1T1G Виробник : ON Semiconductor hn1b01fdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 380mW 6-Pin SC-74 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.77 грн
6000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1G HN1B01FDW1T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013684659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HN1B01FDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.83 грн
1000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1G HN1B01FDW1T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013684659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HN1B01FDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+18.07 грн
69+12.05 грн
150+5.51 грн
500+4.83 грн
1000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1G HN1B01FDW1T1G Виробник : onsemi HN1B01FDW1T1_D-2314762.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V Dual Complementary
на замовлення 5575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.53 грн
15+23.10 грн
100+7.28 грн
1000+4.93 грн
3000+3.83 грн
9000+3.24 грн
24000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1G Виробник : ON ONSM-S-A0002238948-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 07+
на замовлення 762 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1G Виробник : ON Semiconductor ONSM-S-A0002238948-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1G HN1B01FDW1T1G Виробник : ON Semiconductor 91415482417646hn1b01fdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 380mW 6-Pin SC-74 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.