HN1B01FU-Y,LXHF

HN1B01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage


HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5778 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.26 грн
25+12.38 грн
100+6.28 грн
500+4.81 грн
1000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HN1B01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP, Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz, Supplier Device Package: US6, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції HN1B01FU-Y,LXHF за ціною від 3.60 грн до 28.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HN1B01FU-Y,LXHF HN1B01FU-Y,LXHF Виробник : Toshiba HN1B01FU_datasheet_en_20220311-1916404.pdf Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.51 грн
17+20.68 грн
100+10.20 грн
500+6.75 грн
1000+5.21 грн
3000+4.04 грн
9000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y,LXHF HN1B01FU-Y,LXHF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.