Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > HN1B04FE-GR,LF
HN1B04FE-GR,LF

HN1B04FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=22308&prodName=HN1B04FE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HN1B04FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6, Part Status: Active, Supplier Device Package: ES6, Frequency - Transition: 80MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Power - Max: 100mW, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції HN1B04FE-GR,LF за ціною від 3.64 грн до 23.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HN1B04FE-GR,LF HN1B04FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22308&prodName=HN1B04FE Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.20 грн
17+18.17 грн
100+9.62 грн
500+5.94 грн
1000+4.04 грн
2000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LF HN1B04FE-GR,LF Toshiba E439D0883457BFB0629C352F564DC2F4A15E17991D11E6840980F66610B62CAE.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
на замовлення 129045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LF docget.jsp?did=22308&prodName=HN1B04FE
HN1B04FE-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.20 грн
17+18.17 грн
100+9.62 грн
500+5.94 грн
1000+4.04 грн
2000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LF E439D0883457BFB0629C352F564DC2F4A15E17991D11E6840980F66610B62CAE.pdf
HN1B04FE-GR,LF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
на замовлення 129045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.