HN1C01FE-Y,LXHF

HN1C01FE-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage


HN1C01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22307&prodName=HN1C01FE Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HN1C01FE-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: ES6, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції HN1C01FE-Y,LXHF за ціною від 4.12 грн до 26.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HN1C01FE-Y,LXHF HN1C01FE-Y,LXHF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22307&prodName=HN1C01FE Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.67 грн
21+14.71 грн
100+9.18 грн
500+6.38 грн
1000+5.66 грн
2000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-Y,LXHF HN1C01FE-Y,LXHF Виробник : Toshiba HN1C01FE_datasheet_en_20210818-1916356.pdf Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.95 грн
21+16.16 грн
100+8.83 грн
500+6.55 грн
1000+5.74 грн
2000+4.93 грн
4000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.