
HN2D02FUTW1T1G ON Semiconductor
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 4.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HN2D02FUTW1T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - HN2D02FUTW1T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 1 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-363, Durchlassstoßstrom: 1A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.2V, Sperrverzögerungszeit: 3ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85V, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: HN2D0, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції HN2D02FUTW1T1G за ціною від 3.25 грн до 41.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
HN2D02FUTW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
HN2D02FUTW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
HN2D02FUTW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-363 Durchlassstoßstrom: 1A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 3ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85V Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: HN2D0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
HN2D02FUTW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
HN2D02FUTW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
HN2D02FUTW1T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-363 Durchlassstoßstrom: 1A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 3ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: HN2D0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 15283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
HN2D02FUTW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
HN2D02FUTW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 24116 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
HN2D02FUTW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 515192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
HN2D02FUTW1T1G | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 132000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
HN2D02FUTW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
![]() |
HN2D02FUTW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
HN2D02FUTW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
HN2D02FUTW1T1G | Виробник : onsemi |
![]() |
товару немає в наявності |