HN2D03F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 400V 100MA SM6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SM6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HN2D03F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 400V 100MA SM6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 500 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 3 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA, Supplier Device Package: SM6, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 400 V.
Інші пропозиції HN2D03F(TE85L,F) за ціною від 12.77 грн до 60.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HN2D03F(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Small Signal Switching Diodes Switching Diode 0.1A 400V 3 Circuit |
на замовлення 5015 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
HN2D03F(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE ARRAY GP 400V 100MA SM6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Diode Configuration: 3 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: SM6 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 400 V |
на замовлення 5199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|