Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > HP8JB5TB1
HP8JB5TB1

HP8JB5TB1 Rohm Semiconductor

hp8jb5tb1-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: -40V 18A, DUAL PCH+PCH, HSOP8, P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.07 грн
10+87.66 грн
100+59.15 грн
500+44.06 грн
1000+41.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HP8JB5TB1 Rohm Semiconductor

Description: -40V 18A, DUAL PCH+PCH, HSOP8, P, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP.

Інші пропозиції HP8JB5TB1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HP8JB5TB1 HP8JB5TB1 Виробник : Rohm Semiconductor hp8jb5tb1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 7A 8-Pin HSOP EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JB5TB1 HP8JB5TB1 Виробник : Rohm Semiconductor hp8jb5tb1-e.pdf Description: -40V 18A, DUAL PCH+PCH, HSOP8, P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JB5TB1 HP8JB5TB1 Виробник : ROHM Semiconductor hp8jb5tb1-e.pdf MOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, -40V 18A, Dual Pch+Pch, HSOP8, Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.