Продукція > ROHM > HP8JE5TB1
HP8JE5TB1

HP8JE5TB1 ROHM

hp8je5tb1-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - HP8JE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 12.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.127ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 21W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+101.38 грн
500+77.27 грн
1000+67.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HP8JE5TB1 ROHM

Description: ROHM - HP8JE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 12.5 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.127ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 21W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції HP8JE5TB1 за ціною від 61.91 грн до 227.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HP8JE5TB1 HP8JE5TB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=HP8JE5&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: MOSFET 2P-CH 100V 4.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 127mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 1104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.96 грн
10+129.13 грн
100+90.40 грн
500+68.42 грн
1000+63.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JE5TB1 HP8JE5TB1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=HP8JE5&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs -100V 12.5A, Dual Pch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8JE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for Switching and Motor drives applications.
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.63 грн
10+135.97 грн
100+81.34 грн
500+66.72 грн
1000+63.56 грн
2500+61.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JE5TB1 HP8JE5TB1 Виробник : ROHM hp8je5tb1-e.pdf Description: ROHM - HP8JE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 12.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.127ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 21W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+227.26 грн
10+147.00 грн
100+101.38 грн
500+77.27 грн
1000+67.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JE5TB1 Виробник : Rohm Semiconductor hp8je5tb1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
61+203.33 грн
90+138.30 грн
100+123.48 грн
200+94.46 грн
500+81.58 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JE5TB1 Виробник : Rohm Semiconductor hp8je5tb1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8JE5TB1 HP8JE5TB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=HP8JE5&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: MOSFET 2P-CH 100V 4.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 127mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.