HP8K22TB Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A/57A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 57A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HP8K22TB Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A/57A 8HSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 25W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 57A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Part Status: Active.
Інші пропозиції HP8K22TB за ціною від 30.31 грн до 134.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HP8K22TB | ROHM Semiconductor |
MOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET |
на замовлення 22201 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
HP8K22TB | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A/57A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 25W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 57A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active |
на замовлення 5930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| HP8K22TB |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET
MOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET
на замовлення 22201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 132.09 грн |
| 10+ | 83.36 грн |
| 100+ | 48.46 грн |
| 500+ | 38.45 грн |
| 1000+ | 35.69 грн |
| 2500+ | 31.69 грн |
| 5000+ | 30.31 грн |
| HP8K22TB |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A/57A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 57A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A/57A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 57A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 5930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 134.36 грн |
| 10+ | 82.56 грн |
| 100+ | 55.62 грн |
| 500+ | 41.37 грн |
| 1000+ | 37.88 грн |