HP8KA1TB Rohm Semiconductor
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 152+ | 83.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HP8KA1TB Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA, Supplier Device Package: 8-HSOP.
Інші пропозиції HP8KA1TB за ціною від 29.60 грн до 132.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HP8KA1TB | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HP8KA1TB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA Supplier Device Package: 8-HSOP |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HP8KA1TB | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs HSOP8 2NCH 30V 14A |
на замовлення 1378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
HP8KA1TB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA Supplier Device Package: 8-HSOP |
товару немає в наявності |