Технічний опис HP8KA1TB Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP, Supplier Device Package: 8-HSOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 3W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції HP8KA1TB за ціною від 32.66 грн до 121.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HP8KA1TB | Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOPSupplier Device Package: 8-HSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 3W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
HP8KA1TB | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
HP8KA1TB | ROHM Semiconductor |
MOSFETs HSOP8 2NCH 30V 14A |
на замовлення 1378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| HP8KA1TB |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 117.79 грн |
| 10+ | 71.86 грн |
| 100+ | 48.21 грн |
| 500+ | 35.73 грн |
| 1000+ | 32.66 грн |
| HP8KA1TB |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin HSOP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 117+ | 121.63 грн |
| 152+ | 93.16 грн |
| 200+ | 84.86 грн |
| 500+ | 61.19 грн |
| HP8KA1TB |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSOP8 2NCH 30V 14A
MOSFETs HSOP8 2NCH 30V 14A
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)