HP8KA1TB

HP8KA1TB Rohm Semiconductor


hp8ka1tb-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
152+81.91 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HP8KA1TB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA, Supplier Device Package: 8-HSOP.

Інші пропозиції HP8KA1TB за ціною від 31.78 грн до 128.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HP8KA1TB HP8KA1TB Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=HP8KA1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs HSOP8 N CHAN 30V
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.04 грн
10+75.96 грн
100+46.31 грн
500+37.43 грн
1000+34.49 грн
2500+31.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KA1TB HP8KA1TB Виробник : Rohm Semiconductor hp8ka1tb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
117+104.68 грн
152+80.17 грн
200+73.03 грн
500+52.66 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KA1TB HP8KA1TB Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=HP8KA1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.61 грн
10+78.59 грн
100+52.75 грн
500+39.09 грн
1000+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KA1TB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=HP8KA1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key HP8KA1TB Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KA1TB HP8KA1TB Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=HP8KA1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.