Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > HP8KB6TB1
HP8KB6TB1

HP8KB6TB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=HP8KB6&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8HSOP
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 10.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+40.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HP8KB6TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - HP8KB6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 0.0157 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0157ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 21W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції HP8KB6TB1 за ціною від 46.77 грн до 189.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HP8KB6TB1 HP8KB6TB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=HP8KB6&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8HSOP
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 10.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.18 грн
10+99.84 грн
100+67.91 грн
500+50.90 грн
1000+46.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB6TB1 HP8KB6TB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=HP8KB6&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB6TB1 HP8KB6TB1 ROHM hp8kb6tb1-e.pdf Description: ROHM - HP8KB6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 0.0157 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0157ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB6TB1 HP8KB6TB1 ROHM hp8kb6tb1-e.pdf Description: ROHM - HP8KB6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 0.0157 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0157ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB6TB1 Rohm Semiconductor hp8kb6tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 10.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+184.81 грн
111+128.23 грн
200+113.15 грн
500+86.10 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB6TB1 Rohm Semiconductor hp8kb6tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 10.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+189.43 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB6TB1 datasheet?p=HP8KB6&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
HP8KB6TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8HSOP
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 10.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+161.18 грн
10+99.84 грн
100+67.91 грн
500+50.90 грн
1000+46.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB6TB1 datasheet?p=HP8KB6&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
HP8KB6TB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB6TB1 hp8kb6tb1-e.pdf
HP8KB6TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - HP8KB6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 0.0157 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0157ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB6TB1 hp8kb6tb1-e.pdf
HP8KB6TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - HP8KB6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 0.0157 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0157ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB6TB1 hp8kb6tb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 10.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
77+184.81 грн
111+128.23 грн
200+113.15 грн
500+86.10 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB6TB1 hp8kb6tb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 10.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
91+189.43 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.