HP8KB7TB1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: 40V 24A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 79.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HP8KB7TB1 Rohm Semiconductor
Description: 40V 24A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 24A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 16A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V, FET Feature: Standard, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP.
Інші пропозиції HP8KB7TB1 за ціною від 72.4 грн до 190.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HP8KB7TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 40V 24A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 24A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 16A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HP8KB7TB1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| HP8KB7TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
HP8KB7TB1 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| HP8KB7TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
HP8KB7TB1 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|