Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > HP8KB7TB1
HP8KB7TB1

HP8KB7TB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=HP8KB7&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 16A 8HSOP
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 16A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+247.20 грн
10+155.43 грн
100+108.28 грн
500+82.74 грн
1000+76.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HP8KB7TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - HP8KB7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 8000 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8000µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 26W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції HP8KB7TB1 за ціною від 114.50 грн до 276.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HP8KB7TB1 HP8KB7TB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=HP8KB7&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB7TB1 HP8KB7TB1 ROHM hp8kb7tb1-e.pdf Description: ROHM - HP8KB7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 8000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB7TB1 HP8KB7TB1 ROHM hp8kb7tb1-e.pdf Description: ROHM - HP8KB7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 8000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB7TB1 Rohm Semiconductor hp8kb7tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+163.56 грн
100+145.07 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB7TB1 Rohm Semiconductor hp8kb7tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+276.27 грн
73+194.24 грн
100+168.78 грн
200+130.93 грн
500+114.50 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB7TB1 datasheet?p=HP8KB7&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
HP8KB7TB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB7TB1 hp8kb7tb1-e.pdf
HP8KB7TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - HP8KB7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 8000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB7TB1 hp8kb7tb1-e.pdf
HP8KB7TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - HP8KB7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 24 A, 8000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB7TB1 hp8kb7tb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
87+163.56 грн
100+145.07 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KB7TB1 hp8kb7tb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
52+276.27 грн
73+194.24 грн
100+168.78 грн
200+130.93 грн
500+114.50 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.