Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > HP8KC5TB1
HP8KC5TB1

HP8KC5TB1 Rohm Semiconductor


Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 60V 12A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+136.38 грн
10+83.72 грн
100+56.41 грн
500+41.95 грн
1000+38.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HP8KC5TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - HP8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 12 A, 9000 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9000µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 20W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції HP8KC5TB1 за ціною від 54.22 грн до 85.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HP8KC5TB1 HP8KC5TB1 ROHM Semiconductor MOSFETs HSOP8 2NCH 60V 12A
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC5TB1 HP8KC5TB1 ROHM 4461474.pdf Description: ROHM - HP8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 12 A, 9000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC5TB1 HP8KC5TB1 ROHM 4461474.pdf Description: ROHM - HP8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 12 A, 9000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC5TB1 Rohm Semiconductor hp8kc5tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+85.05 грн
223+63.65 грн
261+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC5TB1 Rohm Semiconductor hp8kc5tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC5TB1
HP8KC5TB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSOP8 2NCH 60V 12A
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC5TB1 4461474.pdf
HP8KC5TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - HP8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 12 A, 9000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC5TB1 4461474.pdf
HP8KC5TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - HP8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 12 A, 9000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC5TB1 hp8kc5tb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
167+85.05 грн
223+63.65 грн
261+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC5TB1 hp8kc5tb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.