HP8KC5TB1

HP8KC5TB1 Rohm Semiconductor


Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 60V 12A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.72 грн
10+85.78 грн
100+57.79 грн
500+42.98 грн
1000+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HP8KC5TB1 Rohm Semiconductor

Description: 60V 12A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP.

Інші пропозиції HP8KC5TB1 за ціною від 46.66 грн до 73.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HP8KC5TB1 Виробник : Rohm Semiconductor hp8kc5tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
167+73.19 грн
223+54.77 грн
261+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 167
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC5TB1 Виробник : Rohm Semiconductor hp8kc5tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC5TB1 HP8KC5TB1 Виробник : Rohm Semiconductor Description: 60V 12A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KC5TB1 HP8KC5TB1 Виробник : ROHM Semiconductor MOSFETs HS0P8 N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.