Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > HP8KE5TB1
HP8KE5TB1

HP8KE5TB1 Rohm Semiconductor

Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 100V 8.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HP8KE5TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - HP8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 8.5 A, 0.193 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.193ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 20W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції HP8KE5TB1 за ціною від 37.37 грн до 156.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HP8KE5TB1 HP8KE5TB1 Виробник : Rohm Semiconductor Description: 100V 8.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.17 грн
10+89.57 грн
100+60.39 грн
500+44.94 грн
1000+41.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE5TB1 HP8KE5TB1 Виробник : ROHM Semiconductor MOSFETs HSOP8 100V 8.5A N CHAN MOS
на замовлення 2228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.20 грн
10+92.89 грн
100+55.41 грн
500+46.95 грн
1000+39.18 грн
2500+37.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE5TB1 HP8KE5TB1 Виробник : ROHM 4461475.pdf Description: ROHM - HP8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 8.5 A, 0.193 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.193ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+156.67 грн
10+100.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE5TB1 HP8KE5TB1 Виробник : ROHM 4461475.pdf Description: ROHM - HP8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 8.5 A, 0.193 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.193ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE5TB1 Виробник : Rohm Semiconductor hp8ke5tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
163+76.33 грн
217+57.10 грн
255+48.60 грн
500+40.10 грн
Мінімальне замовлення: 163
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE5TB1 Виробник : Rohm Semiconductor hp8ke5tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.