Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > HP8KE6TB1
HP8KE6TB1

HP8KE6TB1 Rohm Semiconductor

hp8ke6tb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 100V 6A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+163.52 грн
10+101.09 грн
100+68.79 грн
500+51.59 грн
1000+47.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HP8KE6TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - HP8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.054 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 21W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції HP8KE6TB1 за ціною від 46.37 грн до 186.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HP8KE6TB1 HP8KE6TB1 ROHM Semiconductor hp8ke6tb1-e.pdf MOSFETs 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+179.17 грн
10+86.63 грн
100+64.80 грн
500+54.04 грн
1000+50.97 грн
2500+47.68 грн
5000+46.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1 HP8KE6TB1 ROHM hp8ke6tb1-e.pdf Description: ROHM - HP8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.054 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1 HP8KE6TB1 ROHM hp8ke6tb1-e.pdf Description: ROHM - HP8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.054 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1 Rohm Semiconductor hp8ke6tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+186.99 грн
115+124.35 грн
200+112.95 грн
500+83.84 грн
1000+72.38 грн
2000+59.31 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1 Rohm Semiconductor hp8ke6tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1 hp8ke6tb1-e.pdf
HP8KE6TB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+179.17 грн
10+86.63 грн
100+64.80 грн
500+54.04 грн
1000+50.97 грн
2500+47.68 грн
5000+46.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1 hp8ke6tb1-e.pdf
HP8KE6TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - HP8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.054 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1 hp8ke6tb1-e.pdf
HP8KE6TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - HP8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.054 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1 hp8ke6tb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
77+186.99 грн
115+124.35 грн
200+112.95 грн
500+83.84 грн
1000+72.38 грн
2000+59.31 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KE6TB1 hp8ke6tb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.