Продукція > ROHM > HP8KF7HTB1
HP8KF7HTB1

HP8KF7HTB1 ROHM


hp8kf7htb1-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - HP8KF7HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 150 V, 18.5 A, 0.062 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+168.97 грн
500+127.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HP8KF7HTB1 ROHM

Description: ROHM - HP8KF7HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 150 V, 18.5 A, 0.062 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 150V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 26W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції HP8KF7HTB1 за ціною від 86.61 грн до 396.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HP8KF7HTB1 HP8KF7HTB1 Виробник : ROHM Semiconductor MOSFETs HSOP8 150V DUAL 18.5A
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.55 грн
10+184.47 грн
100+118.24 грн
500+105.43 грн
1000+103.18 грн
2500+87.36 грн
5000+86.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KF7HTB1 HP8KF7HTB1 Виробник : ROHM hp8kf7htb1-e.pdf Description: ROHM - HP8KF7HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 150 V, 18.5 A, 0.062 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 150V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+396.22 грн
10+250.91 грн
100+168.97 грн
500+127.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KF7HTB1 HP8KF7HTB1 Виробник : Rohm Semiconductor hp8kf7htb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.