HP8M31TB1 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - HP8M31TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 123 грн |
| 500+ | 93.57 грн |
| 1000+ | 71.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HP8M31TB1 ROHM
Description: ROHM - HP8M31TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.046 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 7W, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 7W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції HP8M31TB1 за ціною від 63.87 грн до 188.2 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HP8M31TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 2180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
HP8M31TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HP8M31TB1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET HP8M31TB1 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for motor drive. |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
HP8M31TB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - HP8M31TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.046 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm Verlustleistung, p-Kanal: 7W euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HP8M31TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 30V, 2300pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| HP8M31TB1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 8.5/-8.5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 7W Case: HSOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 73/80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.3/38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
HP8M31TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 30V, 2300pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| HP8M31TB1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 8.5/-8.5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 7W Case: HSOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 73/80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.3/38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |