Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > HP8M31TB1
HP8M31TB1

HP8M31TB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=HP8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 30V, 2300pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+210.00 грн
10+131.63 грн
100+91.22 грн
500+72.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HP8M31TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - HP8M31TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.046 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 7W, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 7W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції HP8M31TB1 за ціною від 164.06 грн до 263.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HP8M31TB1 HP8M31TB1 Rohm Semiconductor hp8m31tb1-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+257.41 грн
100+180.09 грн
200+164.06 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1 HP8M31TB1 Rohm Semiconductor hp8m31tb1-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+263.35 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1 HP8M31TB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=HP8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 60V Nch+Pch Power MOSFET
на замовлення 4053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1 HP8M31TB1 ROHM 3679886.pdf Description: ROHM - HP8M31TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1 HP8M31TB1 ROHM 3679886.pdf Description: ROHM - HP8M31TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1 hp8m31tb1-e.pdf
HP8M31TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+257.41 грн
100+180.09 грн
200+164.06 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1 hp8m31tb1-e.pdf
HP8M31TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
79+263.35 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1 datasheet?p=HP8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
HP8M31TB1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 60V Nch+Pch Power MOSFET
на замовлення 4053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1 3679886.pdf
HP8M31TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - HP8M31TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8M31TB1 3679886.pdf
HP8M31TB1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - HP8M31TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.