HP8M51TB1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 50V, 1430pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 26.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 216.70 грн |
| 10+ | 143.01 грн |
| 100+ | 98.90 грн |
| 500+ | 75.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HP8M51TB1 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8HSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 50V, 1430pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 26.2nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP.
Інші пропозиції HP8M51TB1 за ціною від 62.96 грн до 217.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HP8M51TB1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 100V Nch+Pch Power MOSFET |
на замовлення 2464 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
HP8M51TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
HP8M51TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 50V, 1430pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 26.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP |
товару немає в наявності |