HP8MA2TB1 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 128+ | 110.89 грн |
| 149+ | 95.18 грн |
| 250+ | 89.91 грн |
| 500+ | 74.94 грн |
| 1000+ | 64.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HP8MA2TB1 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 18A 8HSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 15A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 1250pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP.
Інші пропозиції HP8MA2TB1 за ціною від 52.98 грн до 129.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HP8MA2TB1 | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N/P-CH 30V 18A/15A 8-Pin HSOP EP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
HP8MA2TB1 | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 18A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 15A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 1250pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP |
на замовлення 1674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
HP8MA2TB1 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs 30V Nch+Pch Middle Power MOSFET |
на замовлення 1388 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| HP8MA2TB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 18A/15A 8-Pin HSOP EP T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 18A/15A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 127+ | 112.12 грн |
| 133+ | 107.10 грн |
| 250+ | 102.80 грн |
| 500+ | 95.56 грн |
| 1000+ | 85.59 грн |
| 2500+ | 79.74 грн |
| HP8MA2TB1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 18A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 15A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 1250pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Description: MOSFET N/P-CH 30V 18A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 15A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 1250pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 129.41 грн |
| 10+ | 94.10 грн |
| 100+ | 72.31 грн |
| 500+ | 57.44 грн |
| 1000+ | 52.98 грн |
| HP8MA2TB1 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 30V Nch+Pch Middle Power MOSFET
MOSFETs 30V Nch+Pch Middle Power MOSFET
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)